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绝缘栅双极晶体管

prodline igbt

Bourns®IGBT离散BID系列结合了MOS栅和双极晶体管的技术，为高电压和大电流应用创建了正确的组件。体育投注在线该装置采用先进的沟槽-栅场停止技术，提供了更好的动态特性控制，同时产生较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(坐))和更小的开关损耗。此外，这种结构增加了器件的鲁棒性，并给出了较低的RTH．Bourns®IGBT解决方案适用于SMPS, UPS和PFC应用。体育投注在线

>> IGBT技术库

系列 数据表 照片 包 功能 VCE[V] 我C
@ T = 100˚C
(一)		 Typ。VCE(坐)
@ Ic, Vge=15 V
[V]		 我F
@ T = 100˚C
(一)		 操作结温 MDS 设计文件 工程 立即购买
BIDD05N60T BIDD05N60T bidd05n60t - - - - - - 252 中速 600 5 1．5 N/A -55°C至+150°C BIDD05N60T 下载 买
BIDW20N60T BIDW20N60T bidw20n60t - - - - - - 247 中速 600 20. 1.7 20. -55°C至+150°C BIDW20N60T 下载 买
BIDW30N60T BIDW30N60T bidw20n60t - - - - - - 247 中速 600 30. 1.65 30. -55°C至+150°C BIDW30N60T 下载 买
BIDW50N65T BIDW50N65T bidw20n60t - - - - - - 247 中速 650 50 1.65 50 -55°C至+150°C BIDW50N65T 下载 买
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 bidnw30n60h3 - 247 n 高速 600 30. 1.65 12 -55°C至+150°C BIDNW30N60H3 下载 买
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